一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺

摘要：

本发明揭示了一种无机相变光刻胶，所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物，其通式为Ge₂Sb_2(1-x)Sn_2xTe₅，并且0<x<0.3。该无机相变光刻胶对单晶硅片和二氧化硅片具有高抗刻蚀比，在该光刻胶(非晶态)上可以通过激光直写或者曝光获得晶态的图形，并且在酸性溶液中呈现负的光刻胶特性。而基于该无机相变光刻胶的光刻工艺，其制备方法简单方便、无污染，而且不需要有机光刻胶所需要的特殊光环境，无需使用特定波长激光，可在非真空或真空中实现。体现出了生产周期短周期短，成本低，产率高，工艺简单可控，易于实现工业化生产等优点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410058686.X

申请日期：2014-02-20

公开/公告号：CN103809376A

公开/公告日：2014-05-21

主分类号：G03F7/004(2006.01)I

申请/专利权人:苏州华维纳纳米科技有限公司

发明/设计人:刘前

主申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-107

专利代理机构:苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239

代理人:丁秀华

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种无机相变光刻胶，其特征在于：所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物，其通式为Ge₂Sb_2(1‑x)Sn_2xTe₅，并且0<x<0.3。