一种装有控制IC的低噪声FET驱动电路

摘要：

本发明提供了一种装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其包括：第一电容器、第二电容器、第一电阻、第二电阻、第三电阻，二极管，第一稳压管、第二稳压管、三极管，场效应晶体管、和控制用IC。根据本发明的装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其能够控制开关速度，保护栅极电路免受静电损坏，防止栅极电路产生自激振荡，降低噪声，还可以防止噪声返回到主电源回路中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410051995.4

申请日期：2014-02-14

公开/公告号：CN103812484A

公开/公告日：2014-05-21

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:太原理工大学

发明/设计人:张杰;马捷;呼艳生;刘芳宇;张莹

主申请人地址:030024 山西省太原市迎泽西大街79号

专利代理机构:北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙) 11457

代理人:王庆海

国别省市代码:山西;14

权利要求：

一种装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其包括：第一电容器、第二电容器、第一电阻、第二电阻、第三电阻，二极管，第一稳压管、第二稳压管、三极管，场效应晶体管、和控制用IC，其中该第一电容器的第一端连接第一电阻的第一端，该第一电阻的所述第一端接收输入信号，该第一电阻的第二端分别连接第二电容的第一端和用于提供开关电源脉宽调制信号的控制用IC的电源端，该控制用的输出端分别连接二极管的阳极、三极管的基极和第三电阻的第一端，该二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第二电阻的第一端，该第二电阻的第二端分别连接第一稳压管的阴极和场效应晶体管的栅极，该场效应晶体管的漏极连接第二稳压管的阴极，所述第一电容器的第二端、所述第二电容器的第二端、所述用于提供开关电源脉宽调制信号的控制用IC的接地端、所述第三电阻的第二端、所述三极管的集电极、所述场效应晶体管的源极、所述第一稳压管的阳极和所述第二稳压管的阳极均接地。