一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法

摘要：

本发明公开了一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法，属于电路控制领域，包括供电电源1、场效应管2、外部控制信号发生器3、内部信号发生器4和后续电路5。供电电源1、场效应管2、后续电路5依次相连。外部控制信号发生器3和内部信号发生器4分别与场效应管2相连。场效应管2根据外部控制信号发生器3和内部控制信号发生器4发出的控制信号实现供电电源1与后续电路5的通断。本发明的技术方案通过采用MOS管作为集成电路控制的开关，有效降低了控制信号故障对集成电路产生的影响，并有效降低了电磁干扰，实现可控延时断电，并不存在触点氧化和定期维护问题，更好的实现了电路保护。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410046899.0

申请日期：2014-02-10

公开/公告号：CN103795388A

公开/公告日：2014-05-14

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:上海三一重机有限公司

发明/设计人:高丰城;王德彬

主申请人地址:201306 上海市浦东新区临港工业园区两港大道318号A座

专利代理机构:上海申新律师事务所 31272

代理人:朱俊跃

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于MOS管的集成电路开关结构，用于集成电路供电的开关控制，其特征在于，包括供电电源（1）、场效应管（2）、外部控制信号发生器（3）、内部控制信号发生器（4）和后续电路（5），所述供电电源（1）与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）与所述后续电路（5）相连，所述外部控制信号发生器（3）和内部控制信号发生器（4）分别与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）控制所述供电电源（1）与所述后续电路（5）之间的通断，所述外部控制信号发生器（3）通过发出外部控制信号控制所述场效应管（2）的通断，所述内部控制信号发生器（4）通过发出内部信号控制所述场效应管（2）的通断。