一种超宽带低噪声单片集成放大器

摘要：

本发明公开了一种超宽带低噪声单片集成放大器，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路包括第一晶体三极管，第二级放大电路包括第二晶体三极管和第三晶体三极管，其中，超宽带低噪声单片集成放大器还包括第三级放大电路，第三级放大电路包括控制电流输入端、第四电阻、第一滤波电容和第四晶体三极管,控制电流输入端通过第四电阻联接到第三晶体三极管的基极，第四电阻与第三晶体三极管的基极之间同时通过第一滤波电容接地；第三晶体三极管的发射极联接到第四晶体三极管的基极，第四晶体三极管的集电极是第三级放大电路的信号输出端。本发明大大延长了电池使用寿命，大大降低了寄生电感，提高高频增益，扩展带宽范围。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410025786.2

申请日期：2014-01-21

公开/公告号：CN103746663A

公开/公告日：2014-04-23

主分类号：H03F1/42(2006.01)I

申请/专利权人:上海镭芯微电子有限公司

发明/设计人:刘金刚

主申请人地址:200030 上海市徐汇区零陵路800号1703乙室

专利代理机构:北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411

代理人:曾少丽

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种超宽带低噪声单片集成放大器，包括第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路包括第一晶体三极管，所述第二级放大电路包括第二晶体三极管和第三晶体三极管，其特征在于：所述超宽带低噪声单片集成放大器还包括第三级放大电路，所述第三级放大电路包括控制电流输入端、第四电阻、第一滤波电容和第四晶体三极管,其中：所述第一晶体三极管的基极联接信号输入端，所述第一晶体三极管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；所述第一晶体三极管的集电极同时与第二晶体三极管的基极联接，所述第二晶体三极管的发射极与第三晶体三极管的集电极联接，所述第二晶体三极管的集电极是第二级放大电路的信号输出端；所述控制电流输入端通过第四电阻联接到第三晶体三极管的基极，所述第四电阻与第三晶体三极管的基极之间同时通过第一滤波电容接地；所述第三晶体三极管的发射极联接到第四晶体三极管的基极，所述第四晶体三极管的集电极是第三级放大电路的信号输出端；所述第一级放大电路的信号输出端、第二级放大电路的信号输出端和第三级放大电路的信号输出端一方面串联地联接第四电容然后接地，另一方面串联地联接第五电感然后信号输出。