一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路
一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、RS锁存器和驱动器，高压电平移位电路将输入的两路低压脉冲信号转换为两路高压脉冲信号输出，两路高压脉冲信号分别经处理后进入RS锁存器，RS锁存器的输出至驱动器，驱动器输出驱动信号控制外部功率管的开关。本发明对高压电平移位电路进行了改进，改进后的高压电平移位电路包含两个完全相同的独立部分，每个独立的部分均包括两个LDMOS管，一个延时单元，一个齐纳稳压管，一个电容，一个电阻和一个中压PMOS管。本发明能够消除d<i>V</i>/dt干扰噪声和差模噪声，并能在消除噪声干扰的同时，不影响正常信号的传递，同时还加大了允许的负VS电压。
发明专利
CN201410020857.X
2014-01-17
CN103762969A
2014-04-30
H03K19/003(2006.01)I
东南大学
孙伟锋;祝靖;张允武;陈健;易扬波;陆生礼;时龙兴
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
江苏永衡昭辉律师事务所 32250
王斌
江苏;32
一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、RS锁存器和驱动器，高压电平移位电路将输入的两路低压脉冲信号Vin1和Vin2转换为两路高压脉冲信号输出，两路高压脉冲信号分别经过两路滤波电路处理后进入RS锁存器，RS锁存器的输出至驱动器，驱动器输出VOUT驱动信号控制外部功率管的开关；其特征在于：对高压电平移位电路进行了改进并用两路脉冲整形器替代两路滤波电路；改进后的高压电平移位电路包含两个完全相同的独立部分，每个独立的部分均包括两个LDMOS管，一个延时单元，一个齐纳稳压管，一个电容，一个电阻和一个中压PMOS管，其中，?LDMOS管MN1、MN2，第一延时单元，齐纳稳压管D1，电容C1，中压PMOS管MP1和电阻R1构成改进后的高压电平移位电路的一个部分；LDMOS管MN3、MN4，第二延时单元，齐纳稳压管D2，电容C2，中压PMOS管MP2和电阻R2构成改进后的高压电平移位电路的另外一个部分；改进后的高压电平移位电路的输入端Von连接LDMOS管MN1的栅极和第一延时单元的输入端，LDMOS管MN1的源极接地，LDMOS管MN1的漏极与齐纳管D1的阳极、电容C1的一端以及中压PMOS管MP1的漏极连接在一起并作为一路高压脉冲信号输出端连接至一路脉冲整形器的输入端，齐纳管D1的阴极、电容C1的另一端、中压PMOS管MP1的源极以及电阻R1的一端连接在一起并与浮动电压VB连接，LDMOS管MN2的栅极连接第一延时单元的输出端，中压PMOS管MP1的栅极连接电阻R1的另一端和LDMOS管MN2的漏极，LDMOS管MN2的源极接地；改进后的高压电平移位电路的另一个输入端Voff连接LDMOS管MN3的栅极和第二延时单元的输入端，LDMOS管MN3的源极接地，LDMOS管MN3的漏极与齐纳管D2的阳极、电容C2的一端以及中压PMOS管MP2的漏极连接在一起并作为另一路高压脉冲信号输出端连接至另一路脉冲整形器的输入端，齐纳管D2的阴极、电容C2的另一端、中压PMOS管MP2的源极以及电阻R2的一端连接在一起并与浮动电压VB连接，LDMOS管MN4的栅极连接第二延时单元的输出端，中压PMOS管MP2的栅极连接电阻R2的另一端和LDMOS管MN4的漏极，LDMOS管MN4的源极接地。