CMOS射频开关
本发明提供一种CMOS射频开关，使用普通CMOS工艺中的三阱(Triple-Well)结构NMOS晶体管作为射频开关晶体管，并通过大阻值电阻为三阱晶体管中的寄生二极管提供直流偏置及射频悬浮(floating)，使得无论在晶体管处于导通状态还是截止状态，晶体管的工作状态及寄生二极管的工作状态都保持稳定且不影响射频开关晶体管的射频性能，具有稳定的隔离度及线性度指标，且相对于基于SOI工艺的射频开关成本大为降低，并同时保持与基于SOI工艺的射频开关相当的高性能水平。
发明专利
CN201410013736.2
2014-01-13
CN103812483A
2014-05-21
H03K17/687(2006.01)I
智坤（江苏）半导体有限公司
朱晓东;江汉
211400 江苏省扬州市仪征市仪征经济开发区闽泰大道9号
扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222
许必元
江苏;32
一种CMOS射频开关，其特征在于：包括至少一个三阱结构NMOS晶体管,该三阱结构NMOS晶体管具有栅极G、源级S、漏极D、体极B、N型深阱极NW、P型衬底极Sub六个电极，其中体极B连接到该三阱结构NMOS晶体管器件的P型体，P型体为一个阱结构，将该三阱结构NMOS晶体管的有源部分包围在其中；N型深阱极NW连接到该三阱结构NMOS晶体管的N型阱， N型阱为一个N型掺杂的深阱结构，将该三阱结构NMOS晶体管的P型体包围在其中；P型衬底极Sub连接到该三阱结构NMOS晶体管的P型掺杂衬底，P型掺杂衬底将该三阱结构NMOS晶体管的N型阱包围在其中；该三阱结构NMOS晶体管的栅极G通过电阻一连接到开关控制信号；漏极D连接到射频端口一；源级S连接到射频端口二；漏极D和源级S还通过电阻二连接在一起；体极B通过电阻三连接到偏置信号一；N型深阱极NW通过电阻四连接到偏置信号二；P型衬底极Sub通过电阻五连接到偏置信号一。