一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法

摘要：

一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。在改变设备进行试运行时，其计算方法包括：步骤S1：罗列设备的曝光能量矩阵，以及光刻工艺中的工艺条件参数；步骤S2：进行条件匹配，并基于所述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取预测的曝光能量参数Dose_JI。本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410010119.7

申请日期：2014-01-09

公开/公告号：CN103698985A

公开/公告日：2014-04-02

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明/设计人:陆向宇;鲍晔

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:郑玮

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，其特征在于，所述方法包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。