一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜

摘要：

本发明揭示了一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜，包括基底，所述用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜还包括一层硫化物半导体薄膜，所述硫化物半导体薄膜生长在所述基底上，所述硫化物半导体薄膜在激光的热作用下转化为氧化物。该硫化物半导体薄膜在具备现有无机热阻膜已有优点的同时，还有优于已有无机热阻膜的一点是：对于大量的元素其硫化物的带隙常常小于对应氧化物，若是所选曝光波长对应的能量介于两者之间，则硫化物受体一旦完成氧化其对光的吸收便会急剧减弱，相当于吸光-生热-氧化的这一过程被自发停止了，故而，更有利于获得高分辨率的图形。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201410004156.7

申请日期：2014-01-06

公开/公告号：CN103744266A

公开/公告日：2014-04-23

主分类号：G03F7/004(2006.01)I

申请/专利权人:苏州华维纳纳米科技有限公司

发明/设计人:刘前;田野

主申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-107

专利代理机构:苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239

代理人:丁秀华

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜，包括基底，其特征在于：所述用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜还包括一层硫化物半导体薄膜，所述硫化物半导体薄膜生长在所述基底上，所述硫化物半导体薄膜在激光的热作用下转化为氧化物。