EUV投射曝光设备的反射镜布置及其操作方法，及EUV投射曝光设备

摘要：

一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201380039384.1

申请日期：2013-07-16

公开/公告号：CN104487899A

公开/公告日：2015-04-01

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明/设计人:B.比特纳;N.韦伯拉;S.施奈德;R.施奈德;H.瓦格纳;R.伊利夫;W.保尔斯

主申请人地址:德国上科亨

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所 11105

代理人:陈金林

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

一种微光刻的EUV投射曝光设备(200)的反射镜布置，包含多个反射镜(30；50；70；110；150；170；210‑218、224‑234)，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32；52；72；112；152；172)并具有主体(34；54；74；114；154；174)，所述层能够被施加EUV辐射，其特征在于：所述多个反射镜的至少一个反射镜(30；70；110；150；170；226)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36；76；118；156；178)，并且所述反射镜布置还包含至少一个热源(96；126)，从而以有目标的方式局部施加热至所述至少一个反射镜(70；110)的具有负热膨胀系数的至少一个层(76；118)。