一种超宽带功率放大器

摘要：

本实用新型公开一种超宽带功率放大器，由功率场效应晶体管放大器A1、增益均衡器EQ、中功率场效应管放大器A2、第一GaNHEMT场效应管放大器A3及第二GaNHEMT场效应管放大器A4级联组成，四级放大器及电源布设在同一PCB板上。有源器件全部使用封装晶体管，降低了包装、储存及人员技能方面的特殊要求。组装工艺只使用廉价的PCB烙铁焊接即可，完全不需要使用昂贵的混合微电子工艺。本实用新型克服封装参数的不利影响，提高了放大器的可靠性，减少了可取得的带宽的限制条件。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320881225.3

申请日期：2013-12-30

公开/公告号：CN203734626U

公开/公告日：2014-07-23

主分类号：H03F1/42(2006.01)I

申请/专利权人:成都玖信科技有限公司

发明/设计人:陈家辉;钟名庆

主申请人地址:610045 四川省成都市武青四路19号西部智谷D区38号楼B座2楼

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种超宽带功率放大器，其特征在于，由功率场效应晶体管放大器A1、增益均衡器EQ、中功率场效应管放大器A2、第一GaN HEMT场效应管放大器A3及第二GaN HEMT场效应管放大器A4级联组成，四级放大器及电源布设在同一PCB板上。