一种高压方波发生器

摘要：

本实用新型涉及一种高压方波发生器，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接；所述高压直流源为直流模块电源；所述储能电容为高压薄膜脉冲电容器。本实用新型结构紧凑、性能稳定、带负载能力强，携带方便，可操作性强，抗电磁干扰能力强。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320858979.7

申请日期：2013-12-24

公开/公告号：CN203617979U

公开/公告日：2014-05-28

主分类号：H03K3/64(2006.01)I

申请/专利权人:国家电网公司%中国电力科学研究院%西安交通大学

发明/设计人:龙兆芝;李文婷;丁卫东;刘少波;任想;乔兵兵

主申请人地址:100031 北京市西城区西长安街86号

专利代理机构:北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人:徐国文

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种高压方波发生器，其特征在于，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接；所述高压直流源为直流模块电源；所述储能电容为高压薄膜脉冲电容器。