一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计

摘要：

本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和<img file="DDA0000442837340000011.TIF" wi="88" he="72" />漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接<img file="DDA0000442837340000012.TIF" wi="96" he="64" />漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和<img file="DDA0000442837340000013.TIF" wi="160" he="72" />GND；本实用新型的有益效果是：电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点，多值动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗，且电路工作状态可控。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320855593.0

申请日期：2013-12-20

公开/公告号：CN203645649U

公开/公告日：2014-06-11

主分类号：H03K19/20(2006.01)I

申请/专利权人:浙江大学城市学院

发明/设计人:胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳

主申请人地址:310015 浙江省杭州市湖州街50号

专利代理机构:杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人:张羽振

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，其特征在于：包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和<img file="FDA0000442837310000011.TIF" wi="103" he="85" />漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接<img file="FDA0000442837310000012.TIF" wi="104" he="84" />漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和<img file="FDA0000442837310000013.TIF" wi="166" he="91" />GND；所述三极管Q1、Q2、Q3的基极分别接N2的源级、N3的源级、P2的漏极，所述三极管Q1、Q2、Q3的集电极分别接工作电压VDD、输出F、输出F，所述三极管Q1、Q2、Q3的发射极分别接输出F、GND、1/2VDD。