一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路

引用

摘要：

本实用新型公开了一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路，包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路；所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2；所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1；所述输出电路包括npn型三极管Q1和Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD；所述三输入浮栅nMOS管N1的源级和一个输入端接地；所述npn型三极管Q1的集电极接工作电压VDD；所述npn型三极管Q2的发射极接地；所述动态时钟控制电路P1和P2的栅极分别接CP和<img file="dest_path_DDA0000491048920000011.TIF" wi="90" he="68" />所述动态时钟控制电路P1和P2的漏极分别接Q1和Q2的基极；本实用新型的有益效果是：BiCMOS技术的应用使得电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点，动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗，且电路工作状态可控。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320851581.0

申请日期：2013-12-20

公开/公告号：CN203661036U

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：H03K19/20(2006.01)I

申请/专利权人:浙江大学城市学院

发明/设计人:胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳

主申请人地址:310015 浙江省杭州市湖州街50号

专利代理机构:杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人:张羽振

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路，其特征在于：包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路；所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2；所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1；所述输出电路包括npn型三极管Q1和Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD；所述三输入浮栅nMOS管N1的源级和一个输入端接地；所述npn型三极管Q1的集电极接工作电压VDD；所述npn型三极管Q2的发射极接地；所述动态时钟控制电路P1和P2的栅极分别接CP和<img file="dest_path_FDA0000491048900000011.TIF" wi="104" he="87" />所述动态时钟控制电路P1和P2的漏极分别接Q1和Q2的基极；所述输入电路N1的三个输入端分别接输入x、y、GND；所述输入电路N1的漏极接P2的漏极；所述输出电路Q1的发射极和Q2的集电极接输出F。

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