一种可控硅控制电路

摘要：

本实用新型涉及一种可控硅控制电路，其技术特点是：包括触发二极管D1、可控硅BG1、调节电位器W1、微调电位器W2，大功率负载RT和一些电阻、电容。可控硅BG1与电阻R1、R2及大功率负载连接，可控硅BG1另一端与电容C1、C2及220V电源N端连接，可控硅BG1触发端与触发二极管一端连接，触发二极管另一端与C1另一端连接、同时与电位器W1、W2连接、电位器W1、W2另一端与他们的活动端相连接、还与电阻R1的另一端相连接，大功率负载RT的另一端与220V电源的L端相连接。本实用新型设计合理，具有结构简单、功耗低、性能稳定可靠的特点，可广泛用于各种需要可控硅控制电路应用中。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320783733.8

申请日期：2013-11-28

公开/公告号：CN203661019U

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:天津市盛丹电子技术发展有限公司

发明/设计人:苏丹;周钰

主申请人地址:300040 天津市和平区台儿庄路18号B座102

国别省市代码:天津;12

权利要求：

一种可控硅控制电路，其特征在于：包括触发二极管D1、可控硅BG1、调节电位器W1、微调电位器W2，大功率负载RT和一些电阻、电容，可控硅BG1与电阻R1、R2及大功率负载连接，可控硅BG1另一端与电容C1、C2及220V电源N端连接，可控硅BG1触发端与触发二极管一端连接，触发二极管另一端与C1另一端连接、同时与电位器W1、W2连接、电位器W1、W2另一端与他们的活动端相连接、还与电阻R1的另一端相连接，大功率负载RT的另一端与220V电源的L端相连接。