一种串联门控发射极耦合逻辑电路

摘要：

一种串联门控发射极耦合逻辑电路，包括多级控制闭合电路，每个级别的控制闭合电路包括一对将各自的发射极端子连接在一起的晶体管；一个连接到控制闭合电路的输出电路；该输出电路包括一个第一负载电阻和串联连接的PN结，和一个分压器，分压器的端子连接到PN结，PN结包含在第一输出晶体管的终端；输出电路还包括四个输出端子，输出电路还包括一个第二输出晶体管，第二输出端被连接到第二输出晶体管的基极；输出电路包括一个同相输出电路和一个反相输出电路。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320781993.1

申请日期：2013-11-27

公开/公告号：CN203813759U

公开/公告日：2014-09-03

主分类号：H03K19/08(2006.01)I

申请/专利权人:苏州贝克微电子有限公司

发明/设计人:不公告发明人

主申请人地址:215011 江苏省苏州市高新区竹园路209号3号楼1404室

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种串联门控发射极耦合逻辑电路，其特征是：连接在第一电源端和第二电源端之间的发射极耦合逻辑电路包括：多级控制闭合电路，每个级别的控制闭合电路包括一对将各自的发射极端子连接在一起的晶体管；一个连接到控制闭合电路的输出电路；该输出电路包括一个第一负载电阻和串联连接的PN结，和一个分压器，分压器的端子连接到PN结，PN结包含在第一输出晶体管的终端；输出电路还包括四个输出端子，第一输出端与第一输出晶体管的基极相连，第二输出端与分压器的中间端子相连，第三输出端与电压分压器的终端相连，而第四输出端与第二输出晶体管的发射极相连；第一输出端被设计来产生高状态(V_OH)和低状态(V_OL)之间的电压变化，其中高状态即较高的电源电压，低状态为低于高状态二分之一个二极管压降(φ)；第二输出端的作用是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压半个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低一个二极管压降(φ)的四分之三；第三输出端的目的是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压一个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低二分之三个二极管压降(φ)；第四输出端子的目的是产生一个输出电压，该电压在高状态和低状态之间变化，其中高状态低于较高的电源电压二分之三个二极管电压降(φ)，而低状态比较高的电源电压低四分之七个二极管压降(φ)；输出电路还包括一个第二输出晶体管，第二输出端被连接到第二输出晶体管的基极；输出电路包括一个同相输出电路和一个反相输出电路。