一种带过载保护的晶体管输出电路

摘要：

本实用新型公开了一种带过载保护的晶体管输出电路，涉及电路过载保护领域，解决了现有技术复杂，成本高的问题。其包括功率输出晶体管和用于控制功率输出晶体管在过载或负载短路时关断的保护晶体管，功率输出晶体管的基极连接一电阻并接入电路控制输入端，功率输出晶体管的集电极直接接入功率输出端，功率输出晶体管的发射级直接接地，保护晶体管与功率输出晶体管并联，保护晶体管的集电极接在功率输出晶体管的基极，保护晶体管的基极和保护晶体管的发射极之间接有电容并接入功率输出晶体管的发射极。本实用新型的保护晶体管可用于在过载和负载短路时关断功率输出晶体管的输出，能实现电路的过流和短路保护功能，具有电路结构简单，成本低的特点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320780051.1

申请日期：2013-11-29

公开/公告号：CN203747770U

公开/公告日：2014-07-30

主分类号：H03K17/08(2006.01)I

申请/专利权人:临海市新睿电子科技有限公司

发明/设计人:何雄伦;张继周

主申请人地址:317099 浙江省台州市临海市紫薇路12号

专利代理机构:北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411

代理人:高文迪

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种带过载保护的晶体管输出电路，包括功率输出晶体管Q1，所述功率输出晶体管Q1的基极连接一分压电阻R3并接入电路控制输入端IN，所述功率输出晶体管Q1的集电极直接接入功率输出端OUT，所述功率输出晶体管Q1的发射级直接接地，其特征在于，还包括与功率输出晶体管Q1并联的保护晶体管Q2，所述保护晶体管Q2的集电极接在所述功率输出晶体管Q1的基极，所述保护晶体管Q2的基极和所述保护晶体管Q2的发射极之间接有电容C1并接入所述功率输出晶体管Q1的发射极。