μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉

摘要：

本实用新型公开了µ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射µ-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320733349.7

申请日期：2013-11-20

公开/公告号：CN203629298U

公开/公告日：2014-06-04

主分类号：F27B17/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院合肥物质科学研究院

发明/设计人:殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花

主申请人地址:230088 安徽省合肥市蜀山湖路350号中国科学院合肥物质科学研究院

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

µ‑XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，该炉包括炉体和炉盖，其特征在于：所述炉体两侧分别开有一个窗口，所述炉体内设有电加热器，电加热器内部放一个扁平坩埚，电加热器和扁平坩埚的外围设有保温介质；所述炉盖顶部开有一个用于观察晶体生长情况的石英玻璃窗口，在所述炉体和炉盖上分别设有出水孔和进水孔。