一种熔丝修调电路

摘要：

本实用新型公开了一种熔丝修调电路，包括开关控制模块、修调值载入模块、熔丝熔断控制模块以及修调模块，修调模块包括PMOS管、第一电阻、熔丝、NMOS管、第二电阻以及D触发器，其中：PMOS管的源极与稳压电源连接，PMOS管的栅极与开关控制模块连接，PMOS管的漏极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与熔丝的一端连接，熔丝的另一端与NMOS管的源极连接，NMOS管的栅极与熔丝熔断控制模块连接，NMOS管的漏极接地，第二电阻的一端与NMOS管的源极连接，第二电阻的另一端接地，D触发器的CP端口与修调值载入模块连接，D端口与NMOS管的源极连接。通过以上公开内容，本实用新型能够在晶圆封装好后再进行修调，从而降低成本，并提高修调精度。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320719193.7

申请日期：2013-11-14

公开/公告号：CN203675091U

公开/公告日：2014-06-25

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:东莞赛微微电子有限公司

发明/设计人:杨健;赵建华

主申请人地址:523808 广东省东莞市松山湖科技产业园区生产力大厦404-409室

专利代理机构:深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人:何青瓦%李庆波

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种熔丝修调电路，其特征在于，包括开关控制模块、修调值载入模块、熔丝熔断控制模块以及修调模块，所述修调模块包括PMOS管、第一电阻、熔丝、NMOS管、第二电阻以及D触发器，其中：所述PMOS管的源极与稳压电源连接，所述PMOS管的栅极与所述开关控制模块连接，所述PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述熔丝的一端连接，所述熔丝的另一端与所述NMOS管的源极连接，所述NMOS管的栅极与所述熔丝熔断控制模块连接，所述NMOS管的漏极接地，所述第二电阻的一端与所述NMOS管的源极连接，所述第二电阻的另一端接地，所述D触发器的CP端口与所述修调值载入模块连接，D端口与所述NMOS管的源极连接；在所述开关控制模块输出第一控制信号控制所述PMOS管的源极与漏极连接时：所述熔丝熔断控制模块输出第二控制信号控制所述PMOS管的源极与漏极连接，其中所述稳压电源的电压值以及所述第一电阻的电阻值设置为令所述熔丝烧断；或所述熔丝熔断控制模块输出第三控制信号控制所述PMOS管的源极与漏极断开，其中所述稳压电源的电压值、所述第一电阻的电阻值以及所述第二电阻的电阻值设置为令所述熔丝保持连通。