一种IGBT驱动电路
本实用新型属于IGBT控制领域,提供了一种IGBT驱动电路。本实用新型通过采用包括第一电阻R1、第二电阻R2、驱动芯片、电容C、第一驱动电阻R11、第二驱动电阻R12、快恢复二极管D、稳压二极管ZD1以及第三电阻R3的IGBT驱动电路,在IGBT关断时由快恢复二极管D阻断IGBT的寄生电容所流出的电流,且由第二驱动电阻R12替代第一驱动电阻R11与第二驱动电阻R12所组成的并联电阻作为IGBT的栅极驱动电阻,从而增大了IGBT的栅极驱动等效电阻,减小了IGBT的集电极与发射极之间的电压变化率,进而达到降低IGBT关断时所产生的尖峰电压以保证IGBT不易因击穿而损坏。
实用新型
CN201320700849.0
2013-11-07
CN203574623U
2014-04-30
H03K17/08(2006.01)I
广东美的制冷设备有限公司
张保强
528311 广东省佛山市顺德区北滘镇林港路
深圳中一专利商标事务所 44237
张全文
广东;44
一种IGBT驱动电路,与主控制器及IGBT连接,其特征在于,所述IGBT驱动电路包括:第一电阻R1、第二电阻R2、驱动芯片、电容C、第一驱动电阻R11、第二驱动电阻R12、快恢复二极管D、稳压二极管ZD1以及第三电阻R3;所述第一电阻R1的第一端连接所述主控制器的输入输出口,所述第一电阻R1的第二端与所述第二电阻R2的第一端共接于所述驱动芯片的第一输入脚,所述驱动芯片的电源脚与所述电容C的第一端共接于直流电源,所述第一驱动电阻R11的第一端与所述第二驱动电阻R12的第一端共接于所述驱动芯片的第一输出脚,所述第一驱动电阻R11的第二端连接所述快恢复二极管D的阳极,所述第二驱动电阻R12的第二端与所述快恢复二极管D的阴极、所述稳压二极管ZD1的阴极以及所述第三电阻R3的第一端共接于所述IGBT的栅极,所述第二电阻R2的第二端、所述驱动芯片的接地脚、所述电容C的第二端、所述稳压二极管ZD1的阳极以及所述第三电阻R3的第二端均与所述IGBT的发射极共接于地。