一种带双反馈结构的宽带混频器
本实用新型属于射频集成电路领域，公开了一种应用于宽带接收机的带双反馈结构宽带混频器，该电路包括射频跨导放大器级、本振开关级，中频输出级，电流溢出级，反馈环路LP1，反馈环路LP2。射频跨导放大级采用共栅结构，实现输入阻抗在宽频带范围内近似恒定，从而实现宽带匹配特性；本振开关级将输入差分射频本振信号和输入射频信号混频，产生中频信号，通过中频输出级输出；电流溢出级减少流过本振开关级电流，降低混频器噪声系数；反馈环路LP1和LP2通过形成两反馈通路，实现在不增加工作电流情况下混频器转换增益的提高。
实用新型
CN201320667079.4
2013-10-28
CN203632620U
2014-06-04
H03D7/16(2006.01)I
江苏博纳雨田通信电子有限公司
叶松;沈剑均;刘宝宏
210016 江苏省南京市玄武区黄埔路2号黄埔科技大厦B座16楼
江苏圣典律师事务所 32237
朱庆华
江苏;32
一种应用于宽带接收机带双反馈结构的宽带混频器，其特征是包括射频跨导放大器级、本振开关级、中频输出级、电流溢出级、第一反馈环路LP1和第二反馈环路LP2；本宽频带混频器的射频输入信号、本振信号和中频输出信号都为差分信号；其中，设射频输入信号为RF+和RF‑，中频输出信号为IF+和IF‑，本振信号为LO+和LO‑；另，设八个节点分别为第1、2、3、4、5、6、7和8节点；<b>射频跨导放大器级</b>由NMOS晶体管M1和M2构成；射频输入信号RF+接于第1节点，射频输入信号RF‑接于第2节点，晶体管M1的源级和第1节点相连，M1的栅极接于第3节点，晶体管M2的源级接于第2节点，晶体管M2的栅极接于第4节点；<b>本振开关级</b>由NMOS晶体管M3、M5、M4和M6构成；晶体管M3的漏极和晶体管M5的漏极都连接到中频输出信号IF+端，晶体管M4的漏极和晶体管M6的漏极都连接到中频输出信号IF‑端，晶体管M3的栅极和晶体管M6的栅级都连接到本振信号LO+端，晶体管M4的栅极和晶体管M5的栅级都连接到本振信号LO‑端；<b>中频输出级</b>由两个负载阻抗Z1和Z2构成，第一负载阻抗Z1的两端分别接于中频输出信号IF+端和供电电源VCC，第二负载电阻Z2的两端分别接于中频输出信号IF‑和供电电源VCC；射频输入信号经跨导放大级放大后和本振信号相混频，产生中频电流信号，中频电流信号通过中频输出级输出中频电压信号；<b>电流溢出级</b>由PMOS晶体管P1和P2组成，晶体管P1的源级接于供电电源VCC，晶体管P1的栅极连于第7节点，晶体管P1的漏极接于第5节点；晶体管P2的源级接于供电电源VCC，晶体管P2的栅极接于第8节点，晶体管P2的漏极接于第6节点；<b>第一反馈环路LP1</b>由反馈电容C1和C2构成，电容C1两端分别接于第3节点和第2节点，电容C2两端分别接于第1节点和第4节点；射频输入信号RF+接于第1节点，射频输入信号RF‑接于第2节点；<b>第二反馈环路LP2</b>由反馈电容C3和C4构成，电容C3两端分别接于第6节点和第7节点，电容C4两端分别接于第5节点和第8节点。