一种用于制作高频声表面波器件的复合薄膜基底

摘要：

本实用新型属于高频声表面波器件的技术领域，主要涉及一种金刚石薄膜基底。其包括单晶硅片、普通金刚石薄膜层和纳米金刚石薄膜层三个部分，其中普通金刚石薄膜采用化学气相沉积法沉积在单晶硅片表面，纳米金刚石薄膜采用化学气相沉积法直接沉积在普通金刚石薄膜表面，由此形成金刚石/纳米金刚石复合薄膜，与单晶硅片一起作为高频声表面波器件的基底，在该基底上制备ZnO等压电薄膜，然后在其上设计叉指换能器，便形成了新型的高频声表面波器件，其可以省略普通金刚石薄膜抛光的过程，并能弥补纳米金刚石薄膜沉积速率过低的缺陷，极大地降低了高频声表面波器件的成本，提高其生产效率。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320628973.0

申请日期：2013-10-12

公开/公告号：CN203537343U

公开/公告日：2014-04-09

主分类号：H03H3/08(2006.01)I

申请/专利权人:武汉工程大学

发明/设计人:熊礼威;崔晓慧;汪建华

主申请人地址:430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

专利代理机构:湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人:崔友明

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种用于制作高频声表面波器件的复合薄膜基底，其特征在于：包括单晶硅片、普通金刚石薄膜层和纳米金刚石薄膜层三个部分，其中普通金刚石薄膜采用化学气相沉积法沉积在单晶硅片表面，纳米金刚石薄膜采用化学气相沉积法直接沉积在普通金刚石薄膜表面，形成金刚石/纳米金刚石复合薄膜。