三维电阻率采集系统的超低噪声模拟放大器
一种三维电阻率采集系统的超低噪声模拟放大器，包括两部分，第一部分为由六个晶体管组成的直接耦合的电压串联负反馈超低噪声放大器，第二部分为三个运算放大器组成的低噪声放大器。第一部分中第二级的发射极向第一级的基极提供偏置电流，在获得偏置电流的同时，引入了直流负反馈，使得电路的静态工作点更稳定，在偏流反馈电路中加入了电容，使放大电路的输入阻抗有很大提高；第二部分是两个各项性能参数高度一致的同相输入通用集成运放，具有双端信号输入而只有单端信号输出，共模抑制比非常高，对电磁场的干扰抑制具有非常好的作用，能使测量精度达到0.1μV以下，这样就能大大减轻野外发送设备及接收设备重量，大大提高电法勘探工作效率。
实用新型
CN201320562777.8
2013-09-11
CN203608158U
2014-05-21
H03F1/26(2006.01)I
东华理工大学
刘庆成;邓居智;黎正根;曾正军;徐哈宁;肖慧;龚育龄;汤洪志
344000 江西省抚州市学府路56号
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
施秀瑾
江西;36
一种三维电阻率采集系统的超低噪声模拟放大器，其特征在于：它包含两部分，第一部分为由六个晶体管组成的直接耦合的电压串联负反馈超低噪声放大器，第二部分为三个运算放大器组成的低噪声放大器；所述的第一部分超低噪声放大器，第一级由四个晶体管T1～T4组成，四个晶体管接成并联形式，四个晶体管的集电极连接在一起，并与电阻R1串接后接电源VEE1，四个晶体管的发射极连接在一起，然后与电阻R6串接后接地，四个晶体管的基极连接在一起，然后和电阻R4、电容C3连接，四个晶体管T1～T4为性能参数相同的晶体管；第二级由晶体管T5、两个电阻R3、R7组成，晶体管T5的基极连接第一级的输出即四个晶体管T1～T4的集电极，晶体管T5集电极串接电阻R2后接电源VEE1，晶体管T5发射极与两个电阻R3、R7串接后接地，晶体管T5发射极同时串接另两个电阻R8、R4后与第一级的基极相连，电容C5的一端接第一级的发射极，另一端接在两个电阻R8、R4之间；第三级由晶体管T6、两个电阻R5、R6组成，晶体管T6的基极与第二级的输出即晶体管T5的集电极相连，晶体管T6集电极直接接电源VEE1，晶体管T6发射极通过电容C4接输出U01。