一种衰减器电路结构

摘要：

本实用新型公开的一种衰减器电路结构包括由3个电阻组成的T型衰减电路，T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）作为开关，T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。采用串联的两个FET作为T型衰减网络并联接地支路的开关，一方面，当衰减器处于参考态时，大大降低了微波信号泄漏到衰减电路的可能性，另一方面，当衰减器处于衰减态时，两个FET作为衰减器电路的一部分，也提高了衰减器的衰减范围。为了进一步减小衰减器尺寸，该衰减器电路结构采用单片微波集成电路形式，使电路尺寸控制在芯片级，便于与其他元器件集成。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320537955.1

申请日期：2013-08-30

公开/公告号：CN203387476U

公开/公告日：2014-01-08

主分类号：H03H11/24(2006.01)I

申请/专利权人:电子科技大学

发明/设计人:钟毅茨;王磊;张铁笛;邹盼希;张勇

主申请人地址:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

专利代理机构:成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人:周永宏

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种衰减器电路结构，包括由3个电阻组成的T型衰减电路，所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管作为开关，其特征在于：所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个场效应晶体管作为开关。