一种新型压控温补晶体振荡器

摘要：

本实用新型公开了一种新型压控温补晶体振荡器，它涉及晶体振荡器技术领域，电阻三的一端分别与变容二极管一的负极、变容二极管二的负极连接，变容二极管二的正极分别与电阻四的一端、变容二极管三的正极、电阻一的一端连接且接地，变容二极管一的正极分别与电阻四的另一端、晶振的一端连接，晶振的另一端与电感的一端连接，电感的另一端分别与电容一的一端、三极管的基极连接，电容一的另一端分别与电容四的一端、三极管的发射极电阻一的另一端连接，电容四的另一端与变容二极管三的负极连接，三极管的集电极分别与电容三的一端、电阻二的一端连接；它将补偿电路和压控电路分开，加大了压控灵敏度，提高了补偿精度。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320503801.0

申请日期：2013-08-19

公开/公告号：CN203377842U

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03B5/04(2006.01)I

申请/专利权人:阮秀川

发明/设计人:阮秀川

主申请人地址:100013 北京市朝阳区和平街11区35楼133号

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种新型压控温补晶体振荡器，其特征在于：它包含晶振(X1)、电感(L)、三极管(Q1)、电阻一‑四(R1‑R4)、变容二极管一‑三(D1‑D3)、电容一(C1)、电容三(C4)、电容四(C5)，电阻三(R3)的一端分别与变容二极管一(D1)的负极、变容二极管二(D2)的负极连接，变容二极管二(D2)的正极分别与电阻四(R4)的一端、变容二极管三(D3)的正极、电阻一(R1)的一端连接且接地，变容二极管一(D1)的正极分别与电阻四(R4)的另一端、晶振(X1)的一端连接，晶振(X1)的另一端与电感(L)的一端连接，电感(L)的另一端分别与电容一(C1)的一端、三极管(Q1)的基极连接，电容一(C1)的另一端分别与电容四(C5)的一端、三极管(Q1)的发射极电阻一(R1)的另一端连接，电容四(C5)的另一端与变容二极管三(D3)的负极连接，三极管(Q1)的集电极分别与电容三(C4)的一端、电阻二(R2)的一端连接。