一种IGBT驱动电路

摘要：

本实用新型涉及一种IGBT驱动电路，包括光电耦合器、IGBT模块、正负电极和推挽电路，推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，N沟道MOS管的集电极与正负电极的正电极连接，P沟道MOS管的集电极与正负电极的负电极连接，N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与光电耦合器的输出端VOUT连接，N沟道MOS管通过第二电阻与IGBT模块的栅极输入端连接，P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接。本实用新型通过推挽电路使光电耦合器驱动能力增大，能够驱动容量更大的IGBT模块，便于开发更大功率的工业变频器。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201320354347.7

申请日期：2013-06-19

公开/公告号：CN203377852U

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:山东朗进科技股份有限公司

发明/设计人:崔增良;杜鹏

主申请人地址:271100 山东省莱芜市莱城区（高新区）龙山路006号

专利代理机构:北京元中知识产权代理有限责任公司 11223

代理人:曲艳

国别省市代码:山东;37

权利要求：

一种IGBT驱动电路，包括光电耦合器和IGBT模块，其特征在于：还包括正负电极和推挽电路，所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接，所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接，所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端VOUT连接，所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述IGBT模块的发射极接地。