一种可控硅驱动电路

摘要：

本发明公开的可控硅驱动电路，通过方波产生电路根据控制芯片输出的使能信号生成并输出方波信号，强触发电路根据所述方波信号生成并输出强触发电流信号，所述强触发电流信号具有较高的前沿，使可控硅导通后的阳极电流迅速超过其擎住电流；然后隔离传输电路根据所述强触发电流信号生成并输出隔离驱动信号；再经门极驱动电路根据所述隔离驱动信号生成并输出驱动信号；使得所述可控硅接收到具有较高前沿的驱动信号，使其导通后的阳极电流迅速超过其擎住电流，保证了所述可控硅的可靠导通；同时，所述驱动信号的平台部分只需维持所述可控硅的导通即可，不会因电流过大而导致所述可控硅门极发热严重，相比现有技术提高了其可靠性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310754123.X

申请日期：2013-12-31

公开/公告号：CN103716027A

公开/公告日：2014-04-09

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市英威腾电气股份有限公司

发明/设计人:华红坤

主申请人地址:518055 广东省深圳市南山区龙井高发科技工业园4号厂房

专利代理机构:深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285

代理人:唐华明

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种可控硅驱动电路，连接于控制芯片及可控硅之间，其特征在于，包括：连接于第一电源与地之间，且与所述控制芯片相连的方波产生电路，用于根据所述控制芯片输出的使能信号生成并输出方波信号；连接于第二电源与地之间，且与所述方波产生电路相连的强触发电路，用于根据所述方波信号生成并输出强触发电流信号，所述强触发电流信号具有前沿，使所述可控硅导通后的阳极电流超过其擎住电流；与所述强触发电路相连的隔离传输电路，用于对所述强触发电流信号进行强弱电的驱动隔离，生成并输出隔离驱动信号；与所述隔离传输电路及可控硅相连的门极驱动电路，用于将所述隔离驱动信号进行限流后，生成并输出驱动信号至所述可控硅。