一种衬底驱动低电压低功耗运算放大器

摘要：

本发明公开了一种衬底驱动低电压低功耗运算放大器，该衬底驱动低电压低功耗运算放大器包括连接在一起的衬底驱动差分输入电路和低电压低功耗运算放大器附属电路；所述衬底驱动差分输入电路包括PMOS晶体管M1的栅极和PMOS晶体管M2的栅极一起连接到gnd，PMOS晶体管M1的衬底端和PMOS晶体管M2的衬底端分别连接到VINP输入点和VINN输入点，PMOS晶体管M1的源极和PMOS晶体管M2的源极一起连接到低电压低功耗运算放大器附属电路的PMOS晶体管M11的漏极。通过上述方式，本发明采用衬底驱动技术避开了信号通路上阈值电压的限制，适合于低压应用，降低了功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310750536.0

申请日期：2013-12-31

公开/公告号：CN103684299A

公开/公告日：2014-03-26

主分类号：H03F3/45(2006.01)I

申请/专利权人:苏州市职业大学

发明/设计人:李亮

主申请人地址:215104 江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号苏州市职业大学

专利代理机构:苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246

代理人:张一鸣

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种衬底驱动低电压低功耗运算放大器，其特征在于：该衬底驱动低电压低功耗运算放大器包括连接在一起的衬底驱动差分输入电路和低电压低功耗运算放大器附属电路；所述衬底驱动差分输入电路包括PMOS晶体管M1的栅极和PMOS晶体管M2的栅极一起连接到gnd，PMOS晶体管M1的衬底端和PMOS晶体管M2的衬底端分别连接到VINP输入点和VINN输入点，PMOS晶体管M1的源极和PMOS晶体管M2的源极一起连接到低电压低功耗运算放大器附属电路的PMOS晶体管M11的漏极。