一种用于模拟温度补偿晶体振荡器的温度补偿方法

摘要：

本发明涉及一种用于模拟温度补偿晶体振荡器的温度补偿方法，该方法包括测量未补偿的晶体振荡器的电压温度曲线；测量参考热敏电阻的电阻温度特性；根据未补偿的晶体振荡器的电压温度曲线和参考热敏电阻的电阻温度特性，计算和优化温度补偿网络参数值；根据计算和优化的温度补偿网络参数值，选取匹配的元件，组建温度补偿网络；利用温度补偿网络对晶体振荡器进行温度补偿，并测试补偿后的晶体振荡器频率温度特性。本发明所述方法有效改善了温度补偿晶体振荡器温度补偿的效果，尤其是在较宽工作温度范围内的温度补偿效果，提高了温度补偿的一次成功率和温度补偿晶体振荡器可靠性，降低了生产成本和温度补偿晶体振荡器的调试复杂度，提高了生产效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310739925.3

申请日期：2013-12-26

公开/公告号：CN103716042A

公开/公告日：2014-04-09

主分类号：H03L1/02(2006.01)I

申请/专利权人:北京无线电计量测试研究所

发明/设计人:韩艳菊;杨科;郑红耀;于德江

主申请人地址:100854 北京市海淀区142信箱408分箱

专利代理机构:北京正理专利代理有限公司 11257

代理人:张文祎

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种用于模拟温度补偿晶体振荡器的温度补偿方法，其特征在于：该方法包括 测量未补偿的晶体振荡器的电压温度曲线； 测量参考热敏电阻的电阻温度特性； 根据未补偿的晶体振荡器的电压温度曲线和参考热敏电阻的电阻温度特性，计算和优化温度补偿网络参数值； 根据计算和优化的温度补偿网络参数值，选取匹配的元件，组建温度补偿网络； 利用温度补偿网络对晶体振荡器进行温度补偿，并测试补偿后的晶体振荡器频率温度特性。