一种高压方波发生器实现方法

摘要：

本发明涉及一种高压方波发生器实现方法，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接。所述实现方法包括：（1）高压直流电源对储能电容预充电；（2）触发脉宽调节模块将外触发信号转变为脉宽可调方波信号；（3）控制光耦隔离驱动电路驱动MOSFET导通，对负载快速充电形成上升沿电路；（4）驱动下降沿电路的MOSFET与雪崩管导通，快速截断输出脉冲形成下降沿电路。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310722316.7

申请日期：2013-12-24

公开/公告号：CN103684360A

公开/公告日：2014-03-26

主分类号：H03K3/64(2006.01)I

申请/专利权人:国家电网公司%中国电力科学研究院%西安交通大学

发明/设计人:龙兆芝;李文婷;丁卫东;刘少波;任想;乔兵兵

主申请人地址:100031 北京市西城区西长安街86号

专利代理机构:北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人:徐国文

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种高压方波发生器，其特征在于，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接。