一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol振荡电路

摘要：

本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing-vanderPol振荡电路，该电路包括：激励电源e(t)、电阻R、第一电容C₁、第二电容C₂和忆阻器M；所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端分别与第一电容C₁的一端、第二电容C₂的一端连接；所述第二电容C₂的另一端与忆阻器M的一端连接；所述忆阻器M的另一端、第一电容C₁的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。本发明为一个二阶振荡电路，采用连续的非线性电阻，具有电路结构简单，参数调节方便，可以完整地保留Duffing-vanderPol振子动力学特性的优点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310719512.9

申请日期：2013-12-20

公开/公告号：CN103872986A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：H03B5/32(2006.01)I

申请/专利权人:广西大学

发明/设计人:陆益民;朱志勇;黄险峰

主申请人地址:530004 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号

专利代理机构:北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279

代理人:彭晓玲

国别省市代码:广西;45

权利要求：

一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路，其特征在于：该电路包括：激励电源e(t)、电阻R、第一电容C₁、第二电容C₂和忆阻器M；所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端分别与第一电容C₁的一端、第二电容C₂的一端连接；所述第二电容C₂的另一端与忆阻器M的一端连接；所述忆阻器M的另一端、第一电容C₁的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。