一种宽带CMOS巴伦低噪声放大器
针对传统共源共栅巴伦放大器的不足，本发明提供一种宽带CMOS低噪声巴伦放大器，由依次串接的共源共栅输入级、差分共栅隔离级和电阻负载级组成；其中，共源共栅输入级由共源共栅级电阻、第一电容、第二电容、第一NMOS管和第二NMOS管组成，并采用了电容交叉耦合与体交叉耦合的连接方式；差分共栅隔离级由第三电容、第四电容、第三NMOS管和第四NMOS管组成，并采用了电容交叉耦合的连接方式；电阻负载级由共栅支路负载电阻R<sub>CG</sub>和共源支路负载电阻R<sub>CS</sub>组成。本发明的有益效果为：本产品能在保证宽带特性的与单端-差分转换的基础上，提升电路增益与噪声性能，改善差分输出平衡性，消除对片外电感和大面积片上电感的依赖。
发明专利
CN201310715496.6
2013-12-23
CN103746660A
2014-04-23
H03F1/26(2006.01)I
中国电子科技集团公司第三十八研究所
段宗明;李智群;王晓东;马强
230088 安徽省合肥市高新区香樟大道199号
合肥金安专利事务所 34114
徐伟
安徽;34
一种宽带CMOS巴伦低噪声放大器，含有电阻负载级，所述的电阻负载级由共栅支路负载电阻R<sub>CG</sub>和共源支路负载电阻R<sub>CS</sub>组成；其特征在于：还设有共源共栅输入级和差分共栅隔离级，其中，共源共栅输入级的输出端与差分共栅隔离级的输入端相连接，差分共栅隔离级的输出端和电阻负载级的输入端相连接；所述共源共栅输入级由共源共栅级电阻R<sub>S</sub>、第一电容C<sub>C1</sub>、第二电容C<sub>C2</sub>、第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成；其中，第一NMOS管M1的栅极与第一电容C<sub>c1</sub>的一端相连接，第一电容C<sub>C1</sub>的另一端与第二NMOS管M2的源极相连接，第二NMOS管M2的栅极与第二电容C<sub>C2</sub>的一端相连接，第二电容C<sub>C2</sub>的另一端与第一NMOS管M1的源极相连接；第一NMOS管M1的衬底与第二NMOS管M2的源极相连接，第二NMOS管M2的衬底与第一NMOS管M1的源极相连接；第二电容C<sub>C2</sub>与第一NMOS管M1源极之间的连接点与共源共栅级电阻R<sub>S</sub>的一端相连接，共源共栅级电阻R<sub>S</sub>的另一端接地；在第二电容C<sub>C2</sub>与第一NMOS管M1源极之间的连接点处设有输入信号端V<sub>in</sub>；第一电容C<sub>C1</sub>与第二NMOS管M2源极之间的连接点接地；在第一NMOS管M1的栅极处设有第一偏置电压端V<sub>bias_M1</sub>，在第二NMOS管M2的栅极处设有第二偏置电压端V<sub>bias_M2</sub>；所述差分共栅隔离级由第三电容C<sub>C3</sub>、第四电容C<sub>C4</sub>、第三NMOS管M3和第四NMOS管M4组成；其中，第三NMOS管M3的栅极与第三电容C<sub>C3</sub>的一端相连接，第三电容C<sub>C3</sub>的另一端与第四NMOS管M4的源极相连接，第四NMOS管M4的栅极与第四电容C<sub>C4</sub>的一端相连接，第四电容C<sub>C4</sub>的另一端与第三NMOS管M3的源极相连接；第四电容C<sub>C4</sub>与第三NMOS管M3源极之间的连接点与第一NMOS管M1的漏级相连接；第三电容C<sub>C3</sub>与第四NMOS管M4源极之间的连接点与第二NMOS管M2的漏级相连接；在第三NMOS管M3的栅极处设有第三偏置电压端V<sub>bias_M3</sub>，在第四NMOS管M4的栅极处设有第四偏置电压端V<sub>bias_M4</sub>；第三NMOS管M3的漏极与共栅支路负载电阻R<sub>CG</sub>的一端相连接，共栅支路负载电阻R<sub>CG</sub>的另一端与电源端Vdd相连接；第四NMOS管M4的漏极与共源支路负载电阻R<sub>CS</sub>的一端相连接，共源支路负载电阻R<sub>CS</sub>的另一端与电源端Vdd相连接；在第三NMOS管M3漏极与共栅支路负载电阻R<sub>CG</sub>之间的连接点上设有正向差分输出端V<sub>out+</sub>，在第四NMOS管M4漏极与共源支路负载电阻R<sub>CS</sub>之间的连接点上设有负向差分输出端V<sub>out?</sub>。