一种非对称高压MOS器件的双端应用方法

摘要：

本发明提供一种非对称高压MOS器件的双端应用方法，包括（1）将两个非对称高压MOS器件各自的源端与衬底端连接；以及（2）将这两个非对称高压MOS器件采取背靠背连接的方式进行串接。针对选定的不存在对称高压MOS器件的工艺，利用其现有器件进行电路及版图设计就可以完成设计需求，节省成本。尤其在某些需要高可靠性电路的场合，电路设计不用再受到本身为数不多的高可靠工艺提供的器件种类不满足要求的限制。在工艺选择方面，不用受到工艺是否提供对称高压MOS器件的限制，工艺选择更加灵活。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310714281.2

申请日期：2013-12-20

公开/公告号：CN103731125A

公开/公告日：2014-04-16

主分类号：H03K17/08(2006.01)I

申请/专利权人:北京时代民芯科技有限公司%北京微电子技术研究所

发明/设计人:王瑛;王宗民;周亮;张铁良;李媛红

主申请人地址:100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号

专利代理机构:中国航天科技专利中心 11009

代理人:安丽

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种非对称高压MOS器件的双端应用方法，其特征在于，包括以下步骤:（1）将两个非对称高压MOS器件各自的源端与衬底端连接；以及（2）将这两个非对称高压MOS器件采取背靠背连接的方式进行串接。