一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器

摘要：

本发明公开了一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器，包括二极管整流桥电路和一阶滤波电路。二极管整流桥电路包括二极管D1、D2、D3和D4；二极管D1的负极端与二极管D2的负极端相连，记作b端；二极管D2的正极端与二极管D3的负极端相连，记作c端；二极管D3的正极端与二极管D4的正极端相连，记作d端；二极管D4的负极端与二极管D1的正极端相连，记作a端；a端、c端为输入端，分别与信号源的正、负极端相连；一阶滤波电路的输入端与二极管整流桥电路b端相连，输出端与二极管整流桥电路d端相连；二极管整流桥电路的d端接地。本发明结构简单，并具有可双端输入特性，对于忆阻器应用上的突破性进展有巨大的帮助作用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310711032.8

申请日期：2013-12-23

公开/公告号：CN103731128A

公开/公告日：2014-04-16

主分类号：H03K19/00(2006.01)I

申请/专利权人:常州大学

发明/设计人:包伯成;胡丰伟;于晶晶;姜盼;王春丽

主申请人地址:213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号

专利代理机构:南京知识律师事务所 32207

代理人:卢亚丽

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器，包括二极管整流桥电路和一阶滤波电路；其特征在于：所述二极管整流桥电路包括：二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4；二极管D1的负极端与二极管D2的负极端相连，记作b端；二极管D2的正极端与二极管D3的负极端相连，记作c端；二极管D3的正极端与二极管D4的正极端相连，记作d端；二极管D4的负极端与二极管D1的正极端相连，记作a端；a端、c端作为输入端，分别与信号源的正、负极端相连；所述一阶滤波电路的输入端与二极管整流桥电路b端相连，输出端与二极管整流桥电路d端相连；二极管整流桥电路的d端接地。