一种运算放大器的输入级
本发明涉及模拟集成电路技术，具体的说是涉及一种摆率增强的运算放大器的输入级。本发明的一种运算放大器的输入级，其特征在于，包括第一PMOS管M1L、第二PMOS管M2L、第三PMOS管M3L、第四PMOS管M1R、第五PMOS管M2R、第六PMOS管M3R、第一NMOS管M4L、第二NMOS管M5L、第三NMOS管M4R、第四NMOS管M4R、第一偏置电流源Ibias1和第二偏置电流源Ibias2。本发明的有益效果为，结构简单，静态功耗小，大信号瞬态电流较大，可在相同静态电流下得到较高的摆率，并能很好地解决运算放大器中功耗与电路动态特性之间的矛盾。本发明尤其适用于运算放大器的输入级。
发明专利
CN201310692475.7
2013-12-17
CN103647519A
2014-03-19
H03F3/45(2006.01)I
电子科技大学
甄少伟;张飞翔;万霄鹏;王骥;杨东杰;罗萍;张波
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227
李顺德%王睿
四川;51
一种运算放大器的输入级，其特征在于，包括第一PMOS管M1L、第二PMOS管M2L、第三PMOS管M3L、第四PMOS管M1R、第五PMOS管M2R、第六PMOS管M3R、第一NMOS管M4L、第二NMOS管M5L、第三NMOS管M4R、第四NMOS管M4R、第一偏置电流源Ibias1和第二偏置电流源Ibias2；其中，第二PMOS管M2L的源极、第三PMOS管M3L的源极和第四PMOS管M1R的源极连接运算放大器的正向输入端，第一PMOS管M1L的源极、第五PMOS管M2R的源极和第六PMOS管M3R的源极连接运算放大器的反向输入端；第一PMOS管M1L的栅极和漏极、第二PMOS管M2L的栅极、第三PMOS管M3L的栅极和第一NMOS管M4L的漏极以及第一偏置电流源Ibias1正极连接，第四PMOS管M1R的栅极和漏极、第五PMOS管M2R的栅极、第六PMOS管M3R的栅极和第四NMOS管M4R的漏极以及第二偏置电流源Ibias2的正极连接；第三PMOS管M3L的漏极为正输出端，第六PMOS管M3R的漏极为负输出端；第一NMOS管M4L的源极、第二NMOS管M5L的源极、第三NMOS管M4R的源极、第四NMOS管M4R的源极、第一偏置电流源Ibias1的负极和第二偏置电流源Ibias2的负极均接地。