一种改善用于Al₂O₃介质上的光刻工艺的方法

摘要：

本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，该方法包括：在含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液中，加入体积百分比为0.6％至1.4％的硅的浓缩液和体积百分比为0.1％至0.3％的过硫化铵(NH4)2S2O8溶液对显影液进行改进；利用上述改进后的显影液对在Al2O3介质上的曝光后的光刻胶进行显影。利用本发明，光刻过程中Al2O3介质层随着显影时间的变化厚度不变、表面保持光滑，并且该方法稳定性好、重复率高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310681200.3

申请日期：2013-12-12

公开/公告号：CN103645614A

公开/公告日：2014-03-19

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:张凯平;刘明;谢常青;龙世兵;陆丛研;胡媛;刘宇;赵盛杰

主申请人地址:100083 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:任岩

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，其中Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵(TMAH)的碱性显影液所腐蚀，其特征在于，该方法包括：步骤a：在含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液中，加入体积百分比为0.6％至1.4％的硅的浓缩液和体积百分比为0.1％至0.3％的过硫化铵(NH4)2S2O8溶液对显影液进行改进；步骤b：利用上述改进后的显影液对在Al2O3介质上的曝光后的光刻胶进行显影。