一种高温压控振荡器
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一种高温压控振荡器

引用
本发明提供一种高温压控振荡器,属于电子技术领域,包括选频及正反馈网络和放大器,其特征在于:所述选频及正反馈网络包括电感器、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器和第五电容器,其中,第五电容器为可变电容;所述放大器包括基于宽禁带半导体材料的第一半导体场效应晶体管和第一电阻,第一半导体场效应晶体管为SiC半导体场效应管,该振荡器还包括源级跟随器和偏置电路。本发明振荡器的输出可用于高温下的无线传感,通信及数据传输,使用SiCJFET或其他等效的宽禁带半导体器件作为高温电路的核心元件,有效解决高温或其他极端情况下普通半导体器件的在高温下损毁导致电路失效问题;本发明应用GaNLED作为变容二极管,以适用于高温环境。

发明专利

CN201310675486.4

2013-12-11

CN103647507A

2014-03-19

H03B5/04(2006.01)I

东北大学

杨杰;孙宇舸;叶柠;沈鸿媛

110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

沈阳东大专利代理有限公司 21109

梁焱

辽宁;21

一种高温压控振荡器,包括选频及正反馈网络和放大器,其特征在于:所述选频及正反馈网络包括电感器、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器和第五电容器,其中,第五电容器为可变电容,第一电容器的一端连接第五电容器的一端,第一电容器的另一端连接第二电容器的一端,第二电容器的另一端连接第三电容器的一端,第三电容器的另一端连接第四电容器的一端,第四电容器的另一端连接第五电容器的另一端,电感的一端连接在第一电容器、第二电容器之间,电感的另一端连接在第四电容器、第五电容器之间,第五电容器的另一端连接直流电源的负极;?所述放大器包括基于宽禁带半导体材料的第一半导体场效应晶体管和第一电阻;第一半导体场效应晶体管的栅极连接在选频及正反馈网络的第三电容器、第四电容器之间,第一半导体场效应晶体管的漏极连接直流电源正极,第一半导体场效应晶体管的源极连接第一电阻的一端,第一电阻的另一端连接到选频及正反馈网络的第四电容器的另一端,第一电阻的一端还连接在选频及正反馈网络的第三电容器、第四电容器之间。
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2017-06-06发明专利申请公布后的驳回
2014-03-19公开
2014-04-16实质审查的生效
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