一种改善晶振谐振频率的方法

摘要：

本发明公开一种改善晶振谐振频率的方法，该方法为根据晶振与使用模块之间距离不同而选用的谐振电容不同，晶振第一引脚上连接的谐振电容C1的大小为：，其中，C1为谐振电容C1的大小，f为晶振的频率大小，L1为晶振X1的第一引脚到使用模块之间的距离；晶振第二引脚上连接的谐振电容C2的大小为：，其中，C2为谐振电容C2的大小，f为晶振的频率大小，L2为晶振X1的第二引脚到使用模块之间的距离。本发明通过将两个谐振电容的电容值设计成不同值的做法，以解决晶振理论值和实际使用频率不同的问题，使其使用时的真实频率值最大程度上接近理论值。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310672566.4

申请日期：2013-12-12

公开/公告号：CN103701432A

公开/公告日：2014-04-02

主分类号：H03H9/19(2006.01)I

申请/专利权人:深圳东志器材有限公司

发明/设计人:徐浩;向左榆;余浩;陈传荣

主申请人地址:518000 广东省深圳市南山区中山园路黎明工业区三栋五楼

专利代理机构:深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人:刘海军

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种改善晶振谐振频率的方法，其特征是：所述的方法为根据晶振与使用模块之间距离不同而选用的谐振电容不同。