一种无电感高增益CMOS宽带低噪声放大器

摘要：

本发明公开了一种无电感高增益CMOS宽带低噪声放大器，包括信号输入级和噪声抵消级，所述信号输入级由电阻RF、NMOS管M1n和PMOS管M1p组成，其中的PMOS管M1p和NMOS管M1n构成了一个自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1、PMOS管M2p和三个NMOS晶体管M2n、M3和M4组成，所述的M2p用于增加M2的跨导并复用M2n的电流。所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消。本发明放大器在输入匹配、噪声、增益、带宽和线性度方面有一定的优势，其结构简单，芯片面积小，便于集成，成本低，其性价比高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310648595.7

申请日期：2013-12-03

公开/公告号：CN103633947A

公开/公告日：2014-03-12

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:天津大学

发明/设计人:秦国轩;闫月星;杨来春

主申请人地址:300072 天津市南开区卫津路92号

专利代理机构:天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人:李丽萍

国别省市代码:天津;12

权利要求：

一种无电感高增益CMOS宽带低噪声放大器，包括信号输入级和噪声抵消级，其特征在于：所述信号输入级由电阻RF、NMOS管M1n和PMOS管M1p组成，其中的PMOS管M1p和NMOS管M1n构成了一个自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1、PMOS管M2p、NMOS晶体管M2n、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4组成，所述PMOS管M2p用于增加NMOS晶体管M2的跨导并复用NMOS晶体管M2n的电流；所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消；上述各电子元器件之间的连接关系为：信号的输入端与电阻RF的一端、NMOS管M1n的栅极、PMOS管M1p的栅极、NMOS管M2n的栅极和PMOS管M2p的栅极连接；NMOS管M1n的源极接地，PMOS管M1p的源极接电源VDD；电阻RF的另一端与NMOS管M1n的漏极和PMOS管M1p的漏极结合再与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接电阻R1的一端和NMOS管M4的栅极，电阻R1的另一端和NMOS管M4的漏极连接至电源VDD，NMOS管M4的源极与NMOS管M3的漏极连接后作为信号的输出端，NMOS管M3的源级与NMOS管M2n的漏极和PMOS管M2P的漏极相连，NMOS管M2n的源级接地，PMOS管M2n的源级接电源VDD。