一种掩膜版

摘要：

本发明公开了一种掩膜版，应用于新产品的研发工艺中，该掩膜版上具有若干掩膜单元，每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形，任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。采用本发明的掩膜版，曝光时可通过截取不同的掩膜单元并拼接在一个曝光区上，然后一起曝在硅片上，从而硅片上即包括刻蚀需要的图形尺寸，其图形的透过率也可与最终的掩膜版达到一致，可使研发出来的新的刻蚀工艺能够在新产品上直接进行使用，从而提高了研发的效率，并较大的减少了研发的周期，进而节约了研发的成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310631833.3

申请日期：2013-11-29

公开/公告号：CN103645601A

公开/公告日：2014-03-19

主分类号：G03F1/42(2012.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:闵金华;戴韫青;王剑

主申请人地址:201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海申新律师事务所 31272

代理人:竺路玲

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版上具有若干掩膜单元，每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形，且任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。