一种纳米尺度EUV掩模的制备方法

摘要：

本发明公开了一种纳米尺度EUV掩模的制备方法，该方法首先制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术得到图形化的电子束抗蚀剂，大面积沉积吸收体材料铬，用离子束刻蚀吸收体材料铬，在电子束抗蚀剂侧壁形成铬侧墙，最后去除电子束抗蚀剂，得到纳米尺度的EUV光刻掩模。利用本发明，可以获得极小尺寸的吸收体图形。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310631460.X

申请日期：2013-12-02

公开/公告号：CN103605260A

公开/公告日：2014-02-26

主分类号：G03F1/80(2012.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:刘宇;刘明;谢常青;龙世兵;胡媛;张凯平;赵盛杰

主申请人地址:100083 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:任岩

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，该方法首先制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术得到图形化的电子束抗蚀剂，大面积沉积吸收体材料铬，用离子束刻蚀吸收体材料铬，在电子束抗蚀剂侧壁形成铬侧墙，最后去除电子束抗蚀剂，得到纳米尺度的EUV光刻掩模。