一种版图设计光刻工艺友善性检测方法

摘要：

本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310630278.2

申请日期：2013-11-29

公开/公告号：CN103645611A

公开/公告日：2014-03-19

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:王伟斌;阚欢;魏芳;张旭昇

主申请人地址:201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人:吴世华%陶金龙

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，包括：提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形，并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正，获得第一光掩模目标图形；对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟，确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域，其中，所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同；对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测，生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形；对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正，获得第二光掩模目标图形，其中，所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正；对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟，确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域，其中，所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同；对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测，生成各项检测的热点位置标记，最终生成热点位置索引文件。