一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路

摘要：

本发明公开了一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路，该射频开关电路包括一个由GaAs?MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。该电路采用GaAs?MOSFET器件制作开关电路，在提高射频开关速度的同时，提高了栅的动态范围，实现了低的插入损耗，提高了传统射频开关的集成性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310607972.2

申请日期：2013-11-25

公开/公告号：CN103595385A

公开/公告日：2014-02-19

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:刘洪刚;杨靖治;常虎东;刘桂明

主申请人地址:100083 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:任岩

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种III?V族MOSFET器件的射频开关电路，其特征在于，该射频开关电路包括一个由GaAs?MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。