一种可控硅触发控制方法

摘要：

本发明涉及电路的控制方法，尤其涉及可控硅触发控制方法。本发明公开一种可控硅触发控制方法，包括步骤：a.采集电源零点信号的步骤；b.获得电源过零周期的步骤；c.根据步骤a采集到的当前电源零点信号和步骤b获得的电源过零周期，计算出下一个电源过零点预测时间t1，然后将该下一个电源过零点预测时间t1减去一个时间提前量△t，从而得到超前触发时间t2，即t2=t1-△t；d，根据步骤c得到的超前触发时间t2，在超前触发时间t2时输出可控硅触发脉冲信号的步骤。本发明用于可控硅触发控制电路中，能够解决因可控硅导通与电源零点不一致，因零点相位偏差引起的负载对电网的谐波、传导及Click干扰的问题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310583260.1

申请日期：2013-11-20

公开/公告号：CN103595387A

公开/公告日：2014-02-19

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:厦门市芯阳科技有限公司

发明/设计人:刘全喜;郑铠;魏肃;杨叔仲;刘双春;柴智

主申请人地址:361000 福建省厦门市湖里区软件园二期望海路23-405室

专利代理机构:厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209

代理人:程文敢

国别省市代码:福建;35

权利要求：

一种可控硅触发控制方法，包括步骤：a，采集电源零点信号的步骤；b，获得电源过零周期的步骤；c，根据步骤a采集到的当前电源零点信号和步骤b获得的电源过零周期，计算出下一个电源过零点预测时间t1，然后将该下一个电源过零点预测时间t1减去一个时间提前量△t，从而得到超前触发时间t2，即t2=t1?△t；d，根据步骤c得到的超前触发时间t2，在超前触发时间t2时输出可控硅触发脉冲信号的步骤。