一种纳米压印方法

摘要：

本发明公开了一种纳米压印方法，包括如下步骤：在模板上旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻在光刻胶上形成图形并转移到模板上；将基底清洗后用氮气吹干；采用匀胶机旋涂光刻胶并进行前烘；将装有模板和基底的压印机放入烘箱内加热，150℃～200℃烘10分钟，取出后冷却至室温，取出模板和基底；放入纳米压印机中，当模板和基底光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，2分钟后，移去模板；采用反应离子刻蚀残留层和进行图案转移。本发明提供的纳米压印方法操作步骤简单，使用方便、灵活，具有环保高效等优点，有利于推广应用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310555036.1

申请日期：2013-11-08

公开/公告号：CN103543604A

公开/公告日：2014-01-29

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:无锡英普林纳米科技有限公司

发明/设计人:王晶

主申请人地址:214192 江苏省无锡市芙蓉中三路99号

专利代理机构:南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人:成立珍

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种纳米压印方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在模板上旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻在光刻胶上形成图形并转移到模板上；（2）将基底放入1：1：4的NH4OH:H2O2:H2O溶液中清洗10分钟，取出基底在去离子水中冲洗10分钟，置于HF:H2O=1:40的溶液中漂洗30秒，用氮气吹干；（3）采用匀胶机旋涂光刻胶并进行前烘，前烘条件为烘箱内100℃烘40～60分钟；（4）将装有模板和基底的压印机放入烘箱内加热，150℃～200℃烘10分钟，取出后冷却至室温，取出模板和基底；（5）放入纳米压印机中，当模板和基底光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，2分钟后，移去模板；（6）采用反应离子刻蚀残留层和进行图案转移。