一种改善光刻胶形貌的方法

摘要：

本发明涉及一种改善光刻胶形貌的方法，包括以下步骤：选取一次已知参考曝光的曝光参数，并根据该曝光参数进行多次曝光工艺；在进行每次曝光工艺时，保证每次曝光能量和焦距与参考曝光的能量和焦距满足一定关系，采用以上技术方案可极大改善曝光显影后光刻胶的形貌，提高曝光的工艺水平，同时本发明尤其适用于超大高宽比图形的制备工艺中，进而制备出性能更好的半导体器件。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310554269.X

申请日期：2013-11-08

公开/公告号：CN103645609A

公开/公告日：2014-03-19

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:付瑞鹏;王剑;戴韫青

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海申新律师事务所 31272

代理人:竺路玲

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种改善光刻胶形貌的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，包括以下步骤：选取一次已知参考曝光的曝光参数，所述曝光参数包括曝光能量及曝光焦距；进行多次曝光工艺，在进行每次所述曝光工艺时，根据所述曝光参数来控制进行多次曝光中每次曝光的能量和焦距。