一种金属熔线锁存器结构

摘要：

本发明提供一种新的金属熔线锁存器结构，以改善其读取性能。该金属熔线锁存器结构主要由三级受控反相器依次串联构成，其中，第三级反相器包括依次串联的上拉驱动电路、N型晶体管N45和N型晶体管N46，其中，上拉驱动电路采用P型晶体管组上接电源、下接结点A的结构，用以对A点电压产生上拉驱动，上拉驱动电路中的一个P型晶体管的栅极连接至可调偏置电压源，源极接至结点A。本发明显著提高了此类产品的读取可靠性和稳定性，包含的晶体管数量较少，因此版图尺寸较小；另外，在集成电路生产后仍然能根据熔线的实际电阻特性调整熔线锁存器的读取能力。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310529948.1

申请日期：2013-10-30

公开/公告号：CN103532543A

公开/公告日：2014-01-22

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:西安华芯半导体有限公司

发明/设计人:田垚磊

主申请人地址:710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

专利代理机构:西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人:胡乐

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种金属熔线锁存器结构，主要由三级受控反相器依次串联构成，其中，第一级反相器由P型晶体管P16、N型晶体管N0和熔线依次串联组成，第二级反相器由P型晶体管P1与N型晶体管N1串联组成；P型晶体管P16的源极与N型晶体管N0的漏极共接至结点A，P型晶体管P1的栅极与N型晶体管N1栅极也共接至结点A，P型晶体管P1的源极与N型晶体管N1的漏极共接至结点B；其特征在于：第三级反相器包括依次串联的上拉驱动电路、N型晶体管N45和N型晶体管N46，其中，上拉驱动电路采用P型晶体管组上接电源、下接结点A的结构，用以对A点电压产生上拉驱动，上拉驱动电路中的一个P型晶体管的栅极连接至可调偏置电压源，源极接至结点A。