一种纳米印章的制备方法

摘要：

本发明公开了一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本发明提供的纳米印章的制备方法操作步骤简单，具有使用方便、灵活，效率高等优点，有利于推广应用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310514080.8

申请日期：2013-10-25

公开/公告号：CN103529645A

公开/公告日：2014-01-22

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:敀?锡英普林纳米科技有限公司

发明/设计人:王晶

主申请人地址:214192 江苏省无锡市芙蓉中三路99号

专利代理机构:南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人:成立珍

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种纳米印章的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在基片上放置?层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。