一种基于CNFET的三值反相器

摘要：

本发明公开了一种基于CNFET的三值反相器，包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管和第六CNFET管，第二CNFET管的源极、第二CNFET管的基极、第三CNFET管的基极和第六CNFET管的基极分别接入0.9V电压，第三CNFET管的漏极、第四CNFET管的漏极、第五CNFET管的漏极和第六CNFET管的漏极连接，第四CNFET管的源极和第五CNFET管的源极分别接入0.45V电压，第四CNFET管的基极和第五CNFET管的基极分别接入-0.9V电压，第一CNFET管的栅极、第二CNFET管的栅极、第三CNFET管的栅极、第四CNFET管的栅极、第五CNFET管的栅极和第六CNFET管的栅极连接且其连接端为信号输入端，第一CNFET管的漏极、第二CNFET管的漏极、第三CNFET管的源极和第六CNFET管的源极连接，其连接端为信号输出端；优点是功耗较小，且满足我们所需要的中间电平。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310513057.7

申请日期：2013-10-25

公开/公告号：CN103618542A

公开/公告日：2014-03-05

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:宁波大学

发明/设计人:汪鹏君;唐伟童;郑雪松

主申请人地址:315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

专利代理机构:宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226

代理人:程晓明

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种基于CNFET的三值反相器，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管和第六CNFET管，所述的第一CNFET管、所述的第三CNFET管和所述的第六CNFET管为N型CNFET管，所述的第二CNFET管、所述的第四CNFET管和所述的第五CNFET管为P型CNFET管，所述的第一CNFET管的阈值电压为0.62V，所述的第二CNFET管的阈值电压为?0.62V，所述的第三CNFET管的阈值电压为0.17V，所述的第四CNFET管的阈值电压为0.17V，所述的第五CNFET管的阈值电压为0.17V，所述的第六CNFET管的阈值电压为?0.17V，所述的第一CNFET管的源极和基极接地，所述的第二CNFET管的源极、所述的第二CNFET管的基极、所述的第三CNFET管的基极和所述的第六CNFET管的基极分别接入0.9V电压，所述的第三CNFET管的漏极、所述的第四CNFET管的漏极、所述的第五CNFET管的漏极和所述的第六CNFET管的漏极连接，所述的第四CNFET管的源极和所述的第五CNFET管的源极分别接入0.45V电压，所述的第四CNFET管的基极和所述的第五CNFET管的基极分别接入?0.9V电压，所述的第一CNFET管的栅极、所述的第二CNFET管的栅极、所述的第三CNFET管的栅极、所述的第四CNFET管的栅极、所述的第五CNFET管的栅极和所述的第六CNFET管的栅极连接且其连接端为信号输入端，所述的第一CNFET管的漏极、所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的源极和所述的第六CNFET管的源极连接，其连接端为信号输出端。