一种响应TTL逻辑电平的CMOS施密特触发电路

摘要：

一种响应TTL逻辑电平的CMOS施密特触发电路，其特征是：在CMOS反相器门接入一个操作电源，并被配置来产生预定的TTL输入信号的滞后响应，其中TTL的预置参考电压为1.4伏，滞后响应包括一个逻辑电压由低到高转换时产生低于规定的逻辑高约2伏的状态和一个逻辑电压由高到低过渡时产生高于规定的逻辑低状态约0.8伏的状态，从而确定施密特触发器电路功能，改进包括：一个电源调节器之间的连接包括反相器和操作电源，以及一个由CMOS反相器产生的一个存在偏置实质上等于预置参考输入电压的参考电压的响应。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310508822.6

申请日期：2013-10-25

公开/公告号：CN103684359A

公开/公告日：2014-03-26

主分类号：H03K3/023(2006.01)I

申请/专利权人:苏州贝克微电子有限公司

发明/设计人:不公告发明人

主申请人地址:215011 江苏省苏州市高新区竹园路209号3号楼1404室

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种响应TTL逻辑电平的CMOS施密特触发电路，其特征是：?在CMOS反相器门接入一个操作电源，并被配置来产生预定的TTL输入信号的滞后响应，其中TTL的预置参考电压为1.4伏，滞后响应包括一个逻辑电压由低到高转换时产生低于规定的逻辑高约2伏的状态?和一个逻辑电压由高到低过渡时产生高于规定的逻辑低状态约0.8伏的状态，从而确定施密特触发器电路功能，?改进包括：一个电源调节器之间的连接包括反相器和操作电源，以及?一个由CMOS反相器产生的一个存在偏置实质上等于预置参考输入电压的参考电压的响应。