一种CMOS施密特触发电路

摘要：

本发明提供了一种CMOS施密特触发电路，包括第一反向电路、第二反向电路和反馈电路；第一反相电路和第二反相电路连接反馈电路；第一反向电路连接输入信号；反馈电路包括第七晶体管和第八晶体管，第七晶体管的栅极与第二反向电路连接的节点连接输出信号；第八晶体管的栅极连接一调节信号。本发明通过在施密特出发电路中引进反馈电路，并向该反馈电流提供一调节信号，通过该调节信号和反馈电流实现对迟滞现象的调节。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310505318.0

申请日期：2013-10-23

公开/公告号：CN103607184A

公开/公告日：2014-02-26

主分类号：H03K3/3565(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:王文静;王雅莉;张瑞波

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海申新律师事务所 31272

代理人:竺路玲

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种CMOS施密特触发电路，其特征在于，所述电路第一反向电路、第二反向电路和反馈电路；所述第一反相电路和第二反相电路连接所述反馈电路；所述第一反向电路连接输入信号（Vin）；所述反馈电路包括第七晶体管和第八晶体管，所述第七晶体管的栅极与所述第二反向电路连接的节点连接输出信号（Vo）；所述第八晶体管的栅极连接一调节信号（Vn）；通过所述调节信号（Vn）来调整所述CMOS施密特触发电路以实现对迟滞窗的调整，使Vtl在Vtlmin和Vthinv之间变化；所述Vtl为下临界阈值电压，则Vtlmax为最大下临界阈值电压，Vtlmin为最小下临界阈值电压。